日期：2025-06-25 15:52:03
金融界2025年5月20日消息实盘配资网眼查，国家知识产权局信息显示实盘配资网眼查，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“背面金属层的刻蚀方法”的专利，公开号CN120015624A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请公开了一种背面金属层的刻蚀方法，包括：提供一衬底，该衬底具有正面和背面，从俯视角度观察，该衬底包括第一区域和第二区域，第一区域的正面用于形成存储单元器件，第二区域的正面用于形成逻辑器件，第二区域的背面形成有沟槽，衬底的背面从下而上依次形成有介质层和金属层，沟槽内的金属层的厚度大于沟槽外的金属层的厚度；对目标区域进行第一次刻蚀，直至目标区域的介质层被去除；对目标区域进行第二次刻蚀，直至目标区域的金属层被去除，在进行第二次刻蚀的过程中，供给的偏置功率呈脉冲方波。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2912次，专利信息1654条，此外企业还拥有行政许可117个。
本文源自：金融界
作者：情报员/阅读下一篇/返回网易首页下载网易新闻客户端实盘配资网眼查
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